MO源電子氣體三甲基銦
基本信息
| 中文名稱 | 高純三甲基銦 | 英文名稱 | trimethylindigane |
|---|---|---|---|
| 中文別名 |
|
英文別名 |
Trimethylindane;Trimethylindium;Indium,trimethyl;Indium, trimethyl-; |
| CAS號 | 3385-78-2 | 分子式 | C3H9In |
| 分子量 | 159.92200 | 精確質量 | 159.97400 |
| PSA | 0.00000 | LOGP | 1.75140 |
三甲基銦，通常縮寫為 TMI 或者 TMIn，是具有式In（CH3)3。它是無色發火固體。與三甲基鋁不同，但類似于三甲基鎵，TMI是單體的。制備:三甲基銦可以由三氯化銦和甲基鋰反應而成。InCl3 + 3 LiMe → Me3In.OEt2 + 3 LiCl
性質:相較于三甲基鋁和三甲基鎵，InMe3 是一種較弱的路易斯酸。它與仲胺和仲膦形成加合物。它和一種三嗪配體 (PriNCH2)3 形成的配合物含有六配位銦， C-In-C 鍵角為 114°-117°。它與三齒配體形成三個長鍵，N-In-N 角為 48.6°，長 In-N 鍵的鍵長為 278 pm。
結構:處于氣態InMe3 苯甲酸酯是單體，具有三角平面結構，在苯溶液中是四聚體。在固態中有兩個多晶型物，例如通過升華獲得的四方晶相和2005年發現的低密度菱面體相（InMe）。3 從己烷溶液中重結晶。 呈InMe的四邊形形式3 如在苯溶液中那樣為四聚體，并且四聚體之間存在橋連以提供無限的網絡。每個銦原子是五個坐標，在扭曲的三角形平面配置中，三個最短的鍵（約216 pm）是在赤道平面上的鍵，具有更長的軸向鍵，In-C鍵和InMe的鍵合為308 pm。3 單元形成四聚體，In-C用356 pm將四聚體連接成無限網絡。 GaMe的固態結構3 和TlMe3 是相似的。與在-32°C下熔融的三乙基銦相比，固態締合具有89°-89.8°C的高熔點。 InMe的菱形形式3 由具有12元（InC）的環狀六聚體組成6 以延伸的椅子形態響起。六聚體互連成無限網絡。銦原子是五個坐標，赤道In-C距離平均為216.7pm，幾乎與四方形式的平均值相同，軸向鍵為302.8pm，連接InMe3 單元變成六聚體，并且313.4 pm將六聚體連接起來，形成無限網絡。
在微電子領域的應用:銦是幾種化合物半導體的成分，包括InP，InAs，InN，InSb，GaInAs，InGaN，AlGaInP，AlInP和AlInGaNP。這些材料是通過金屬有機氣相外延（MOVPE）制備的，TMI是銦成分的首選來源。 TMI中的高純度（純度為99.9999％或更高）對于許多此類應用至關重要。對于某些材料，在77 K時觀察到的電子遷移率高達287,000cm2/ Vs，在300 K時觀察到的電子遷移率高達5400cm2/ Vs，背景載流子濃度低至6×1013 厘米?3.
危險性：三甲基銦會自燃。
